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先进半导体工艺遭遇战如何应对?【正规买球app十佳排行】

发布时间:2022-10-24  作者:正规买球app

本文摘要:如果说摩尔定律应验了前50年的半导体工艺技术发展路线,那么近两年以来半导体工艺堪称被智能手机等智能终端设备的军备竞赛可怕驱动着向前。

如果说摩尔定律应验了前50年的半导体工艺技术发展路线,那么近两年以来半导体工艺堪称被智能手机等智能终端设备的军备竞赛可怕驱动着向前。从28nm到22nm、14nm、10nm甚至7nm,在先进半导体工艺白热化竞争下,对数字电路更加低的性能拒绝使半导体供应商面对着更加多的挑战,基于这些拒绝,仅有行业的合作将沦为一种必定,而EDA厂商、设备厂商等产业链皆卯足全力因应客户市场需求。  先进设备设计/工艺带给的宿主萃取挑战  一代又一代的半导体晶圆工艺提高使大大减少的IC设计密度、性能提高和功耗节省以求构建,但也为电路设计工程师带给了许多新兴的挑战。

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还包括创意的工艺特性,诸如FinFET晶体管等代表着向低功耗设计模式的改变,这就必须EDA软件在性能和精度方面也要有适当的进步提高。  在整个设计周期内,电路设计工程师必需在性能和精准度之间权衡权衡。宿主电路参数萃取也不值得注意。

在用于更为简单的FinFET组件的先进设备工艺节点上,设计工程师一直致力于执着更加苛刻的精准度,也必须更高的性能和容量来构建十亿级晶体管设计。事实上,在现代IC中,所有制程节点都随着内存、仿真电路、标准单元库以及自定义化数字内容的混合显得日益简单,当工艺尺寸增大到高于.35u或深亚微米(DSM)以下时,物联连线所产生的点对点宿主(电阻、电容等)显得更加广泛的。这种复杂性为电路参数萃取工具带给了一系列有所不同的挑战,设计人员必须必需均衡精度、性能和复杂性等多重因素。  MentorGraphics代工厂项目总监Shu-WenChang说明说道:在前段制程中,例如FinFET的发售标志着CMOS晶体管转入确实的三维器件时代。

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由于其源漏区以及与其周围相连的三维结构方式(还包括本地点对点和认识通孔),造成了复杂性和不确定性。改版更加简单的生产工艺以及更加严苛的设计规则,使得设计师和代工厂在建模时准确地捕捉FinFET器件内部的宿主电阻、电容,以及器件之间的相互作用是至关重要的。

她补足到,又例如在后段制程,双重乃至多重曝光工艺在先进设备节点工艺中充分发挥更加最重要的起到,点对点corners的数量也将明显激增。在28纳米节点,有可能不存在5个点对点corners,但在16纳米节点,不会看见11至15个corners。多层掩膜版之间对不许产生误差,飘移等更加多简单情况,拒绝设计人员评估更加多宿主参数萃取的corners,以检验集成电路的时间自由选择和性能,为宿主参数萃取工作带给了更大的挑战。

  为了应付这些挑战,MentorGraphics发售了全新CalibrexACT宿主电路参数萃取平台。Shu-WenChang回应,CalibrexACT平台可符合还包括14nmFinFET在内普遍的仿真和数字电路参数萃取市场需求,同时最大限度地增加IC设计工程师的猜测和设置功夫。

CalibrexACT平台亦可由自动优化电路参数萃取技术,针对客户特定的工艺节点、产品应用于、设计尺寸大小及电路参数萃取目标,构建精准度和周转时间(TAT)的最佳人组。使用CalibrexACT平台展开电路宿主参数萃取在符合最严苛的精准度拒绝的同时,还让客户体验到了增加高达10倍的周转时间。

xACT平台使用了Mentor独有的算法,享有一个可拓展架构,能在现代化的计算环境中充分利用多个CPU,在有所不同的情况上升计算出来分配到有所不同的CPU内核展开分段运算。她说明说道,然而,对于仅有芯片而言,我们必须处置数十亿晶体管的设计,还包括顶层的数千万条内部点对点。经过客户用于检验,在用于8个CPU的情况下,一般来说每小时可萃取4~8百万个网表,比其他竞争产品慢2~3倍。  同时Shu-WenChang特别强调,CalibrexACT电路参数萃取平台与整个Calibre产品线统合,构建了无缝检验流程,其中还包括用作原始晶体管级模型的CalibrenmLVS产品,以及用作针对极高精准度电路参数萃取应用于的CalibrexACT3D产品。

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此外,它还划入了第三方设计环境和格式,以保证与现有的设计和建模流程互为相容。


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